স্থির ও চল তড়িৎ

সাধারণ বৈদ্যুতিক বাল্বের ভিতর নাইট্রোজেন গ্যাস ব্যবহার করা হয়। বৈদ্যুতিক টিউব লাইটে হিলিয়াম গ্যাস ব্যবহার করা হয়।

তড়িৎ প্রবাহের একক হল-অ্যাম্পিয়ার ।তড়িৎ চালক বলের একক হল-ভোল্ট এবং ক্ষমতার একক ওয়াট

ব্যাখ্যাঃ বৈদ্যুতিক মটর তড়িৎ শক্তিকে যান্ত্রিক শক্তিতে রূপান্তরিত করে। বৈদ্যুতিক জেনারেটর বা ডায়নামো যান্ত্রিক শক্তিকে তড়িৎ শক্তিতে রূপান্তরিত করে। তাপীয় ইঞ্জিন তাপ শক্তিকে যান্ত্রিক শক্তিতে রূপান্তরিত করে। বৈদ্যুতিক মটর ফ্লেমিঙ্গয়ের ডান হস্ত নিয়ম অনুসারে পরিচালিত হয়।

কম্পাঙ্ক কম্পাঙ্ক হলো একক সময়ে কোনো পুনরাবৃত্তিমূলক ঘটনা ঘটবার সংখ্যা। অর্থাৎ একটি ঘটনা যদি বারবার ঘটতে থাকে, তবে একক সময়ে ঐ ঘটনাটি যতবার ঘটবে তা হলো ঐ ঘটনার কম্পাঙ্ক।

বর্তনীতে সার্কিট ব্রেকার ব্যবহার করা হয় অতিমাত্রায় বিদ্যুৎ প্রবাহজনিত বৈদ্যুতিক দুর্ঘটনার হাত থেকে বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি রক্ষার জন্য। সার্কিট ব্রেকারে টিন ও সিসার তৈরি একটি কম গলনাঙ্কের সঙ্কর ধাতুর তৈরি 'ফিউজ' বা তার ব্যবহার করা হয়। এর মধ্য দিয়ে একটি নির্দিষ্ট মাত্রায় অতিরিক্ত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হলে এটি গলে গিয়ে বিদ্যুৎ বর্তনী বিচ্ছিন্ন হয়ে যায় এবং বৈদ্যুতিক দুর্ঘটনার হাত থেকে বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি রক্ষা পায়।

অর্ধপরিবাহী হলো সেই বস্তু যার পরিবাহকত্ব অন্তরকের চেয়ে বেশি কিন্তু পরিবাহকের তুলনায় কম। তড়িৎ প্রবাহ নিয়ন্ত্রণের ক্ষেত্রে অর্ধপরিবাহী পদার্থের ভূমিকা গুরুত্বপূর্ণ। সিলিকন, জার্মেনিয়াম, গ্যালিয়াম ইত্যাদি অর্ধপরিবাহী। লোহা অর্ধপরিবাহী নয়। লোহা তড়িৎ পরিবাহক।

তড়িৎবিশ্লষ্য কোষের ধনাত্বক তড়িৎদ্বারকে অ্যানোড ও ঋণাত্বক তড়িৎদ্বারকে ক্যাথোড বলে

ট্রানজিস্টর একটি অর্ধপরিবাহী যন্ত্র, যা সাধারণত অ্যামপ্লিফায়ার এবং বৈদ্যুতিকভাবে নিয়ন্ত্রিত সুইচ হিসেবে ব্যবহৃত হয়। ট্রানজিস্টর ইলেকট্রনিক সার্কিট বা বর্তনীতে বিবর্ধক হিসেবে কাজ করে।

তাপমাত্রা বাড়লে পরিবাহী পদার্থের রোধ বৃদ্ধি পায় কারণ তাপমাত্রা বাড়লে মুক্ত ইলেকট্রনগুলোর চলাচলে বাঁধার সৃষ্টি হয়, এমনকি সংঘর্ষ হয়৷ এজন্য রোধ বেড়ে যায়। কার্বন পরিবাহী পদার্থ এবং তাপমাত্রা বাড়লে রোধ বাড়ে।

একটি পি–এন সংযোগ (p - n junction) গঠিত হয় একটি পি - ধরনের এবং একটি এন - ধরনের অর্ধপরিবাহীর সংযোগস্থলে। অর্ধপরিবাহীর একটি একক ক্রিস্টাল ডোপায়নের মাধ্যমে পাশাপাশি একটি পি - এবং একটি এন - ধরনের অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হলে, এদের সংযোগস্থলে পি–এন সংযোগের সৃষ্টি হয়। দুটি বিচ্ছিন্ন পি এবং এন টুকরার মাধ্যমে পি–এন সংযোগ তৈরি করা হয় না কারণ, এক্ষেত্রে এদের সংযোগস্থলে একটা গ্রেইন অঞ্চলের তৈরি হয় যা পি–এন সংযোগের বৈশিষ্টাবলীকে বাধাগ্রস্থ করে। এজন্য পি–এন সংযোগগুলো তৈরি করা হয় একটি অর্ধপরিবাহীর একক ক্রিস্টালে ডোপিং - এর মাধ্যমে, যেমন আয়ন ইমপ্ল্যান্টেশন, ডোপেন্টের ব্যাপন, বা এপিট্যাক্সি (একধরনের ডোপায়িত ক্রিস্টালের একটি স্তরের উপর অন্যধরনের ডোপায়িত ক্রিস্টালের অারেকটি স্তর সৃষ্টি করা) দিয়ে। একটি সিলিকন পি - এন সংযোগ যেখানে কোন বিভব প্রয়োগ করা হয়নি। প্রায় সবধরনের অর্ধপরিবাহী যন্ত্রাংশ, যেমন ডায়োড, ট্রানজিস্টর, সৌর কোষ, লাইট - এমিটিং ডায়োড এবং ইন্টিগ্রেটেড বর্তনী পি–এন সংযোগ দিয়ে তৈরি। এসব যন্ত্রাংশে পি–এন সংযোগ হলো সক্রিয় অঞ্চল যেখানে যন্ত্রের ইলেকট্রনিক কর্মকান্ড অনুষ্ঠিত হয়। যেমন, একটি সাধারণ এন–পি–এন বা পি - এন - পি বাইপোলার সংযোগ ট্রানজিস্টরে ২টি পি–এন সংযোগ সিরিজে থাকে।